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　　顾名思义，存储芯片是数据存储的重要载体，也是芯片半导体产业当中极为重要的一环，应用范围广且市场占比高，其规模长期占整个集成电路市场的

　　1/4，仅次于逻辑芯片，为集成电路第二大细分市场。品类层面，根据断电后存储的信息是否保留，存储芯片可以分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片，其中易失性存储芯片的代表性产品有

　　DRAM和SRAM，非易失性存储芯片则是以NAND Flash和NOR Flash为主流。而在市场层面，国外厂商凭借先发优势以及在终端市场的品牌优势，占据了大部分的市场份额，行业头部厂商三星电子、美光科技、海力士、铠侠、西部数据等已经在各自领域形成了寡头垄断的竞争格局。由于存储芯片标准化程度高，可替代性强，带有大宗商品属性，其价格受下游需求的影响较为敏感，因此具备极为明显的周期性。自

　　第一轮（2012~2015）：由于iPhone 4/4s的横空出世，智能手机行业被引爆，拉动了市场对于存储芯片的需求，各大存储厂商纷纷扩产，致使市场供过于求，价格由涨转跌，随即步入下行周期。

　　第二轮（2016~2019）：随着安卓手机实力的日益增强，市场又开启了一轮提升内存和存储空间的追逐战，其间三星、SK海力士、美光等主要存储厂商纷纷将产能转向3D NAND，DRAM在需求提振同时面临产能不足，导致价格上涨。而后的周期下行主要是各大厂商3D NAND扩产后，PC、服务器端需求动能不足，整体上出现供大于求的局面。

　　第三轮（2020~2023）：2020年初，全球公共卫生事件的爆发引发居家办公需求的大幅度增加，继而拉动PC、服务器等市场需求量的提升；而5G终端的更新也为存储下游增长开辟出新的空间。但受到公共卫生事件反复、国际形势不确定性增强等多方面原因，下游需求持续疲软，叠加行业库存产能严重过剩，致使存储芯片价格持续下跌，部分细分领域产品甚至在2023年突破历史低点。

　　第四轮（2024年至今）：自2024年起，受一系列因素影响，存储芯片价格开始步入上行区间。进入2025年以来，国际巨头纷纷宣布提价，其中美光率先打响了“第一枪”，宣布产品价格上调20%到30%；紧接着，闪迪也跟风喊出10%的涨幅，随后行业就像多米诺骨牌被推倒一般，三星、SK海力士、铠侠等巨头纷纷表态，宣布将对自家存储芯片产品的价格进行上调。就连央视对此都进行了相关报道。这也是近期存储芯片板块股价持续大涨的根源所在。

　　AI技术革命带来的需求结构性变化。与传统消费电子需求不同，AI应用的不断发展，客观上对于存储芯片的性能和容量提出了更高要求，尤其是高带宽内存（HBM） 和服务器DRAM需求呈现井喷式增长。有行业数据显示，2025年AI服务器对HBM的需求量从2024年的30万颗激增至120万颗，增长率高达300%。单台AI服务器的DRAM容量是普通服务器的8倍，NAND需求达到普通服务器的3倍，这种“吞噬式需求”彻底改变了存储市场的传统供需逻辑。

　　服务器需求的爆发性增长，造成了存储芯片供需的结构性失衡。具体而言，HBM作为AI GPU的核心组件，其生产消耗的晶圆容量是标准DRAM的3倍以上。在总产能增长有限的情况下，存储芯片巨头为追求更高利润（HBM毛利率高达50%-60%，远超传统DRAM的30%水平），纷纷将先进产线资源转向HBM和DDR5，大幅挤压了传统DRAM（如DDR4）和NAND Flash的产能。例如，三星、

　　SK海力士和美光等巨头已陆续宣布停产或大幅削减DDR4产能，将资源集中于HBM和服务器级DDR5产品；其中，美光2026年底前的HBM产能已全部预售，SK海力士12层堆叠HBM3e产品即便良率仅75%，其2026年产能也被英伟达、AMD等企业锁定。如此一来，这种产能转移不仅减少了传统存储芯片的供应，还在很大程度上导致了半导体产业链的整体紧张，进而引发了整个存储芯片市场的价格上涨。正因上述原因，近两年

　　存储芯片的价格才得以持续稳步上行。根据TrendForce数据，2025年第四季度DRAM合约价预计单季度增长13%-18%，NAND Flash价格涨幅达5%-10%。具体到产品类型，HBM价格表现尤为强劲，2025年HBM单颗价格突破5000美元，同比上涨500%。三星、SK海力士等厂商已正式通知客户，将在2025年第四季度把DRAM和NAND Flash芯片价格上调最高达30%。

　　“越涨越缺”的市场局面，下游客户的采购策略正悄然发生变化，多家国际电子和服务器公司正与原厂磋商“2-3年”的中长期供货协议，同时也摒弃了以往按季度或年度签约的传统。这种采购模式的变革反映了市场对长期供应紧张的预期，如此反而进一步强化了存储芯片价格上涨的持续性。综合上述分析

　　可知，本轮存储芯片涨价并非传统的周期性波动，而是一场由AI技术革命驱动的结构性变革；其核心逻辑在于AI需求爆发性地增长，彻底重塑了存储芯片的供需格局，并引发了产业链的连锁反应。值得注意的是，

　　市场普遍预期，接下来存储芯片涨价周期仍将持续。有分析表明，由于原厂产能调整需要时间，且

　　AI需求依然旺盛，DDR4等产品的紧缺状态预计至少会持续到2026年上半年，这也意味着本轮存储芯片涨价趋势也至少会延续至2026年上半年。而摩根士丹利研报更是指出，本轮存储芯片涨价非短期现象，预计会开启一个持续数年的“超级周期”。这样看来，

　　随着存储芯片产品的持续涨价，相关厂商的业绩也将得到持续性改善，继而有望引发存储芯片板块业绩与估值的“戴维斯双击”。再叠加国产替代、自主可控的宏大叙事背景，存储芯片板块着实有机会出现一波大级别上涨行情。就目前来看，板块上涨趋势已成，有行业周期和基本面等因素作为支撑，后续板块只要回调，都应视为

　　“倒车接人”的机会。感兴趣的投资者不妨予以关注，逢低买入，或许能有不错的收获。

　　NOR Flash、NAND Flash及DRAM产品且在代码型存储市场与国际龙头公司相比肩的公司之一，也是全球领先的Fabless芯片供应商，在发展模式上选择避开国际巨头及大市场领域，选择NOR Flash、利基DRAM等小众领域发展，逐步站稳并拖延市场，目前在NOR Flash领域全球市占率第三、中国第一，Arm通用32位MCU中国第一，触控芯片全球第四，指纹职别芯片全球第三、中国第二。

　　32位嵌入式CPU技术和低功耗技术，主营业务为微处理器芯片、智能视频芯片等ASIC芯片产品及整体解决方案的研发和销售。公司拥有较强的自主创新能力，多年来在自主创新CPU技术、视频编解码技术、图像和声音信号处理技术、SoC芯片技术、软件平台技术等多个领域形成多项核心技术，并形成了“计算+存储+模拟”的技术与产品格局，在智能硬件、智能安防终端应用市场基础上，将业务进一步拓展到汽车电子、工业制造、医疗设备、通讯及高端消费等领域。

　　、佰维存储国内存储模组巨头，在存储器技术研发、先进封测制造、产业链资源及全球化运营等方面具有核心竞争力，是国家级专精特新小巨人企业、国家高新技术企业。公司佰维

　　(Biwin)品牌主要面向智能终端、工业级应用、企业级应用、车规级应用、PC OEM等To B市场，子品牌佰微(Biwintech)以及独家运营的惠普(HP)、宏碁(Acer)及掠夺者(Predator)等品牌则面向DIY、电竞、移动存储等To C市场。公司产品广泛应用于智能终端、PC、大数据、物联网、车联网、工业互联网等领域。

　　。公司为全球客户提供技术研发、工艺设计、生产控制、采购管理、物流支持等全产业链服务，总部位于中国深圳，拥有深圳、苏州、惠州、东莞、成都、重庆、合肥、马来西亚等九个研发制造基地。同时公司在美国、英国、荷兰、新加坡、中国香港等十多个国家或地区设有分支机构或拥有研发团队。深科技致力于为全球客户提供数据存储、医疗器械、汽车电子、消费电子、商业与工业、新型智能产品等领域产品的制造服务以及智能计量智能终端与工业物联网系统的研发生产服务。